Арутюнян Владимир Михайлович
| Арутюнян Владимир Михайлович | |
| |
| Дата рождения: | 1940 |
| Место рождения: | Ереван |
Содержание
Биография
Родился в 1940 г. в г. Ереване.
С отличием окончил факультет радиоэлектроники Киевского политехнического института по специальности «Полупроводники и диэлектрики»(1964) и начал работать в Институте радиофизики и электроники Академии наук Армении.
Кандидатскую диссертацию защитил в 1970 г. (ЕГУ), а докторскую – в 1977 г. (Вильнюсский госуниверситет, Литва), обе по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». В 1976 г. и 1981 г. утвержден, соответственно, в ученых званиях старшего научного сотрудника и профессора по той же специальности. В 1990 г. избран членом – корреспондентом, а в 1996 г. – академиком НАН РА по специальности «Радиофизика и электроника».
В. М. Арутюнян избран также действительным членом Инженерной Академии РА и Международной Инженерной Академии, членом других академий и научных обществ. Являлся членом ряда ученых и экспертных советов в республике и научных советов СССР.
С 1965 г. по 1988 г. работал в Институте радиофизики и электроники НАН Армении, в том числе 14 лет со дня основания в качестве заведующего лабораторией физики полупроводниковых приборов. В декабре 1977 г. приглашен на работу в ЕГУ на должность зав. кафедрой «Физика полупроводников и диэлектриков» и научного руководителя НИЛ физики полупроводниковых материалов и приборов радиофизического факультета. Позже кафедра была переименована в кафедру “Физика полупроводников и микроэлектроника”, а на базе НИЛ был создан Научный центр полупроводниковых приборов и нанотехнологий. В. М. Арутюнян продолжает по сей день свою деятельность в ЕГУ.
Научные интересы
Круг научных интересов академика В. М. Арутюняна весьма широк. Его работам свойственно сочетание фундаментальных исследований с приборными разработками.
В кандидатской диссертации им разработана обобщенная теория генерационно-рекомбинационных и инжекционных процессов в полупроводниках с зонной схемой любой сложности и с произвольной связью между концентрациями электронов и дырок. Были предложены новые физические механизмы формирования участков отрицательного сопротивления и ряда аномальных эффектов, проявляющихся в условиях двойной и лавинной инжекции.
В центре внимания В. М. Арутюняна и его соавторов находятся различные эффекты, наблюдаемые на границах раздела полупроводников с электролитом, газом или жидким кристаллом, явления в различных полупроводниковых гетероструктурах, в том числе содержащих квантовые ямы, точки и т.д.. Весомый вклад им с коллегами внесен в развитие таких исключительно важных для прикладной науки разделов как химические и газовые сенсоры, пористые и наноструктурные полупроводники. Значительный вклад внесен в теорию сильнополевых и концентрационных эффектов в таких приборах радиофизики СВЧ-диапазона как диоды Ганна, инжекционно- и лавинно-пролетные диоды. Выполнены важные циклы работ по физическим явлениям в варизонных и компенсированных полупроводниках, фотоприемниках ИК и УФ-диапазонов спектра, фотокатодах и лавинно-пролетных диодах на их основе. В. М. Арутюняном решены сложные задачи статистической радиофизики в области теории шумов в полупроводниках для практически важных случаев инжекционных структур с многозарядными центрами и инжекционно-пролетных диодов с ловушками, низкочастотных шумов в полупроводниках. Для газовых сенсоров продемонстрирована возможность получения больших значений чувствительности сенсоров при использовании метода измерений спектральной плотности шумов по сравнению с обычно принятым резистивным методом.
Крупный вклад внесен В. М. Арутюняном в решение проблемы преобразования солнечной энергии в химическую или электрическую энергии и повышения эффективности преобразования. Им предложены механизмы, объясняющие явления фотопроводимости, электро- и фотолюминесценции, фотоемкости фотоэлектродов, проанализирована роль квантово-размерных эффектов и примесно-дефектного состава, пористости материала, поверхностных состояний, экситонов и т.д. ?? ЕГУ в рамках научно-технических программ СССР по возобновляемым источникам энергии был признан головной организацией по фотоэлектрохимическому преобразованию солнечной энергии.
Патенты и изобретения
Практическим выходом проведенных академиком В. М. Арутюняном с сотрудниками фундаментальных исследований явилось создание новых приборов, установок, технологий и методов измерений, многие из которых защищены 36 авторскими свидетельствами СССР, Армении и РФ, 1 патентом США, 2 патентами Франции. В их числе фотопреобразователи и фотоприемники, фотоэлектроды и фотоэлектролизные установки, газовые, ионно-селективные, инфракрасные, ультрафиолетовые, биологические и другие сенсоры, методы неразрушающего и дистанционного контроля, многослойные антиотражающие покрытия и т.д. Эти разработки по своим параметрам, как правило, превышают характеристики зарубежных аналогов. Внедрение ряда разработок осуществлено в Армении, Москве, Санкт-Петербурге. До развала СССР академик В. М. Арутюнян возглавлял созданную им в ПО «Позистор» совместную с ЕГУ отраслевую лабораторию, что способствовало внедрению многих результатов научных изысканий и изобретений в производство, повышению процента выхода продукции.
- Предметный столик электронного микроскопа. (Изобретение относится к технике электронной микроскопии)
- Датчик для определения концентрации паров ацетона. (Изобретение относится к области газового анализа)
- Импульсное устройство для регистрации распределения напряженности электрического поля в материале
- Анод для фотоэлектролиза воды
Работа в экспертных советах
В. М. Арутюняном опубликованы 3 монографии, 12 книг, 14 обзорных статей, около 400 статей и докладов в ведущих научных журналах и трудах международных конференций по физике и технике полупроводников, энергетике, электронике, сенсорике. Многие работы получили высокую оценку научной общественности и ведущих ученых мира. Об этом свидетельствует около 400 ссылок в литературе в последние 20 лет, в том числе в монографиях и книгах, изданных за рубежом.
В. М. Арутюнян привлечен к работе в различных экспертных советах и в редакциях ряда международных журналов (США, Европа, Россия, Швейцария) и журнала “Армянская армия”.
С 1992 г. является главным редактором журнала «Известия НАН РА. Физика», полностью издаваемого Издательством Шпрингер (Германия) в переводе с русского языка на английский под названием “Journal of Contemporary Physics””. Третий год издается под его редакцией журнал ”Armenian Journal of Physics” , в котором публикуются не только работы армянских авторов, но и научные работы физиков из около двадцати стран.
Педагогическая деятельность
Наряду с интенсивной научной деятельностью всегда в центре внимания Владимира Михайловича были воспитание и подготовка кадров. За время работы в ЕГУ в разные годы им прочитаны лекции по физике полупроводников, физике полупроводниковых приборов, оптоэлектронике, полупроводниковой СВЧ-электронике. Он ввел и по сей день читает лекции по курсам микроэлектроники, преобразователям солнечной энергии и сенсоров, нанотехнологиям. Им опубликован ряд учебников и учебных пособий на армянском и русском языках.
Научная и научно-организационная деятельность академика В. М. Арутюняна во многом способствовала подготовке в Армении квалифицированных кадров специалистов в области физики и техники полупроводников. На возглавляемых В. М. Арутюняном кафедре и Центре царит творческая обстановка. Им лично подготовлены 5 докторов наук и 27 кандидат наук. Он был членом первой в Армении ВАК. Во всем мире академик В. М. Арутюнян воспринимается как глава большой научной школы и ведущий ученый по физике полупроводников и полупроводниковой электронике в Армении. Только в Армении В. М. Арутюняном с сотрудниками организовано 6 всесоюзных и10 республиканских конференций.
Международное сотрудничество
Большое внимание уделяется академиком В. М. Арутюняном международному сотрудничеству, что,исходя из существующих на сегодняшний день реалий играет важную роль в развитии науки в республике. Им опубликованы около 70 статей и докладов совместно с учеными США, Франции, России, Швеции, Германии и Италии. Получены 4 патента, выполненные совместно с зарубежными коллегами. Многократно выезжал в длительные научные командировки в США, Францию, Германию, Италию, Великобританию и др. страны, принимал участие в работе научных конференций (в том числе, с приглашенными докладами) в вышеуказанных и многих других странах, имеющих высокий научный потенциал. На кафедре и в центре ЕГУ выполнены совместные работы, в том числе в рамках 5 грантов.МНТЦ, 4 грантa IPP DOE USA, 4 грантa INTAS , 2 грантa СRDF и т.д.
Член Международных научных обществ по солнечной энергии и материаловедению. Награжден медалью ”За вклад в мировую науку” (1-ый Мировой конгресс по альтернативной энергетике и экологии, 2006, Россия), золотой медалью 2009 г. для Армении (США), медалью “ArmTech’09” (США).
За большие успехи в науке и подготовке кадров академику В. М. Арутюняну присуждена правительственная награда – медаль М. Хоренаци. Ему с 4 сотрудниками ЕГУ присуждена Премия Президента РА за цикл работ в области полупроводниковых работ (2006). Его деятельность в 2009 г. отмечена благодарностью Премьер-Министра РА.
Сочинения
- Тонкопленочный сенсор водорода с улучшенной чувствительностью и стабильностью характеристик = Thin-film hydrogen sensor with improved sensitivity and parameters stability / В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 3 (83). - С. 118-124. : табл., граф., схемы. - Библиогр.: с. 124 (20 назв. ). - Примеч.: с. 118-119 . - ISSN 1608-8298
- Некоторые исследования по теории двойной и лавинной инжекции в полупроводниках [Текст] : Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. (01.049) / Ереванский гос. ун-т. Ер., 1969
- Умножение тока и сопутствующие ему явления при движении домена сильного электрического поля в полупроводнике [Текст] / Г. М. Авакьянц, В. М. Арутюнян. Ер., 1973
- Влияние глубоких примесных уровней на электрофизические параметры диодов ганна, инжекционно пролетных диодов S-фотоприемников инфракрасного диапазона [Текст] / В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, А. Г. Варосян, Ф. В. Гаспарян. Ер., 1975
- Взаимодействие заряженных частиц с сильным монохроматическим излучением в неоднородной среде [Текст] / В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян. Ер., 1976
- Исследования по генерационно-рекомбинационным эффектам и {двойной инжекции} в полупроводниковых приборах и полупроводниках со сложной зонной схемой [Текст] : Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук : (01.04.10) / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. Вильнюс, 1977
- Отчет о командировке в Великобританию [Текст] / АН СССР. ВИНИТИ. Москва, 1977
- Основы микроэлектроники : (Курс лекций) / Арутюнян В. М. Ч. 2. Ер., 1984
- Резонансное взаимодействие электромагнитного излучения с веществом : Сб. науч. тр. / Ерев. гос. ун-т, НИИ физики конденсир. сред; [Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.]. Ер., 1985
- Фотоприемники: прошлое, настоящее, будущее / В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, З. Н. Адамян. Ер., 1986
- Обращение волнового фронта при четырехволновом взаимодействии : Сб. науч. тр. / Ерев. гос. ун-т, НИИ физики конденсир. сред; [Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.]. Ер., 1986
- Инжекционно-пролетные диоды / В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян; Ерев. гос. ун-т. Ер., 1986
- Нелинейные оптические взаимодействия : Сб. науч. тр. / Ерев. гос. ун-т, НИИ физики конденсир. сред; [Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.]. Ер., 1987
- Кремниевые фотоприемники / Ф. В. Гаспарян, З. Н. Адамян, В. М. Арутюнян; Ерев. гос. ун-т. Ер., 1989
- Газовые лазеры : Сб. науч. тр. / Ерев. гос. ун-т, Науч.-произв. об-ние "Лазер. техника"; [Редкол.: В. М. Арутюнян и др.]. Ер., 1989
Достижения
- доктор физико-математических наук
- профессор
- действительный член НАН РА (1996)
- действительный член Инженерной Академии РА
- действительный член Международной Инженерной Академии
Награды
- медаль ”За вклад в мировую науку” (1-ый Мировой конгресс по альтернативной энергетике и экологии, 2006, Россия)
- золотая медаль 2009 г. для Армении (США)
- медаль “ArmTech’09” (США)
- медаль М. Хоренаци
- Премия Президента РА (за цикл работ в области полупроводниковых работ. 2006)
- Благодарность Премьер-Министра РА (2009)
