Абрамян Юрий Арсенович

Материал из Энциклопедия фонда «Хайазг»
Версия от 15:17, 4 мая 2015; Ssayadov (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Персона | name-ru-main =Абрамян Юрий Арсенович | name-ru-01 = | name-ru-02 = | name-ru-03 = | name-lat = | name-en =Yuri...»)
(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)
Перейти к: навигация, поиск
Дополните информацию о персоне
Абрамян Юрий Арсенович
Yuri Abrahamyan
Абрамян Юрий Арсенович.jpeg
На английском: Yuri Abrahamyan
Дата рождения: 10.06.1932
Место рождения: Красный, (Трнаварз) НКАО
Краткая информация:
Ученый-радиофизик, доктор физико-математических наук

Биография

Родился 10 июня 1932 г. в селе Красный (Трнаварз) Нагорно-Карабахской республики (НКАО).

В 1940 г. там же поступил в школу, которую окончил в г. Баку. С 1951 по 1955 гг. служил в ВМС СА.

В 1956 г. поступил на физико-математи-ческий факультет Самаркандского университета, который окончил в 1961 г. и был направлен на работу в Физико-технический институт Академии наук Узбекистана в г. Ташкенте.

В 1965 г., поступив в аспиантуру к профессору Авакянцу Г.М., переехал в Армению, в ИРФЭ АН Армении.

С 1961 по 1965 гг. занимался исследованием физико-технологических свойств кремниевых туннельных диодов и их изготовлением. В 1961 ‑ 1962 гг. под руководством Саидова М. С. была опубликована его первая в СССР технология получения кремниевых туннельных диодов.

В 1970 г. в ИРФЭ АН Армении защитил кандидатскую диссерацию по теме: «Некоторые исследования диодов с S-образной вольтамперной характеристикой, изготовленных из кремния, легированного кадмием (Zn ~ 10-2 %).

В 1996 г. - защита докторской диссертации по теме: «Электрофизи-ческие и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и приборов на основе легированного кремния и соединений А4В6».

Сочинения

Специалист по физикe полупроводников и диэлектриков, исследованию и разработке полупроводников, автор свыше 90 публикаций в этой области, в том числе книг:

  • «Разработка полупроводниковх радиометров субмиллиметрового и ИК диапазонов изд-во ЦНИИ «Электроника», 1986
  • «Пороговые характеристики фотодетекторов. ИК-радиометры и основные материалы современной фотолектроники», (соавторы: Гаспаряном Ф. В., Мартиросяном Р. М.), изд-во Ереванского Гос. университета, 2000
  • «Metods and Materials for remote sensing (Infrared Photo-Detectors, Radio-meters and Arrays)», Autors: Yuri Abrahamian, Radik Martirossyan, Ferdinand Gasparyan, Tufts University, Medford, MA, USA, 2004

Достижения

  • доктор физико-математических наук

Библиография