Арзуманян Грайр Вагаршакович
| Арзуманян Грайр Вагаршакович | |
|
Содержание
Биография
Образование
Закончил ТГПИ, физико-математический факультет, специальность «учитель физики», в 1992 г.
Работает в ТРТУ с 1993 г. в должности инженера (1993-1994 гг.);аспиранта (1994-1997 гг.); ассистента (1997- 2001 гг.); доцента (с 2001 г.). Краткая информация о научной деятельности
Аспирантура: очная аспирантура при ТРТУ(1994-1997гг.), защита диссертации в Совете ТРТУ, на тему: «Моделирование электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами» ( 2000 г.) Область научных интересов
Влияние дефектов в полупроводниковых кристаллах на их электронное энергетическое строение и электрофизические свойства; полупроводниковые наноразмерные гетероструктуры. Читаемые дисциплины: Физика Концепции современного естествознания Термодинамика и теплопередача Список научных работ
1. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г. Колпачев А.Б. Моделирование электронного энергетического спектра кремния с точечными дефектами. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1995. –С.112. 2. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Особенности применения кластерного «muffin-tin» приближения к расчету электронной структуры кремния. Новые информационные технологии. Информационное, программное и аппаратное обеспечение. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1995. – С. 134-135. 3. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Квантовомеханический анализ гетероструктур в наноэлектронике. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1996. –С.75-77. 4. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г. Колпачев А.Б. Расчет плотностей электронных состояний в гетероструктуре кремний-вольфрам-кремний. Известия высших учебных заведений. Сер. Электроника. –1996. – № 1-2. – С. 90-94. 5. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Моделирование электронной энергетической структуры дисилицида титана. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1997. –С.52. 6. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Электронная энергетическая структура примесей титана в кремнии. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1997. –С. 51. 7. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Энергетический спектр кремния с дефектами. Известия ТРТУ. Специальный выпуск «Материалы XLI НТК». –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1997. –№ 1. – С. 147-148. 8. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Математическое моделирование физических свойств кремния с дефектами. Математические модели физических процессов и их свойства. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1997. –С. 11. 9. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Влияние выбора приближения для Маделунговского потенциала на расчетную электронную структуру кремния. Известия ТРТУ. Специальный выпуск «Материалы XLII НТК», –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1997. –№ 2(5). –С. 183-187. 10. Арзуманян Г.В., Захаров А. Г., Набоков Г.М. Электронные состояния, обусловленные границей двойникования кремнии. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1998. –С. 81. 11. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Электронное строение гетероструктуры кремний-моноатомный слой титана-кремний. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1998. –С.58-60. 12. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г. Анализ электронного энергетического спектра кремния с дефектами, связанными с атомами вольфрама и титана. Известия ТРТУ. Спец. вып. «Материалы XLIII НТК». –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1998. – № 3(9). –С. 206-207. 13. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б., Виноградов В.В. Электронное строение Гетероструктуры кремний-титан-кремний с различной толщиной металлического слоя (111). Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1999. –С.83. 14. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Третьякова А.В. Определение параметров глубоких энергетических уровней в кремнии методом вольт-фарадных характиристик. Известия ТРТУ. Спец. вып. Мат. XLIV НТ и НМ конференций проф.-препод. состава, асп. и сотруд. ТРТУ. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1999. – № 2(12). –С. 168-169. 15. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б., Третьякова А.В. Электронная структура кремния с различными кристаллографическими дефектами. Известия ТРТУ. Спец. вып. Мат. XLV НТ и НМ конференций проф.-препод. состава, асп. и сотруд. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000. – № 1. –С. 193-194. 16. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б., Виноградов В.В. Электронное строение гетероструктуры кремний-титан-кремний с различной толщиной металлического слоя (111). Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Материалы Шестой международной науч.-тех. конференции «АПТвЭиМ – ПЭМ-99». –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000. –№ 3(17). – С. 58-63. 17. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Электронное энергетическое строение кремния с точечными и плоскими дефектами. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000. –С. 143-145. 18. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Электронное энергетическое строение гетероструктуры кремний (111)-титан- кремний. Электроника и информатика – XXI век. Третья Международная научно-техническая конференция: –М.: МИЭТ, 2000. –С. 64-65. 19. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Анализ электронного энергетического строения кремниевых гетероструктур с различной толщиной металлического слоя. Известия ТРТУ. Специальный выпуск «Мат. XLVI научно-технической конференции». Тезисы докладов. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001. –№1 (19). –С. 173. 20. Арзуманян Г.В., Виноградов В.В., Колпачев А.Б. Электронное энергетическое строение гетероструктур кремний–титан–кремний (100). Труды Седьмой Всероссийской Научной конференции студентов физиков и молодых ученных. – Екатеринбург–Санкт-Петербург, 2001 г. –С. 152-154. 21. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б., Кракотец Н.А. Электронное энергетическое строение кремния с примесью никеля. Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Сборник докладов 8-го Международного симпозиума «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы». – Харьков: ННЦ ХФТИ, ИПЦ «Контраст», 2002. –С. 83-86.
22. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Моделирование электронного энергетического строения кремния содержащего атомы замещения титана и углерода. Математические модели физических процессов и их свойства: Материалы 8-й Международной конференции. –Таганрог: изд-во ТГПИ, 2002. –С. 102-106.
23. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г. Колпачев А.Б., Кракотец Н.А. Глубокие энергетические уровни в кремнии, обусловленные атомами никеля. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды 8-й международной научно-технической конференции. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002, –Ч.1. – С. 20-23.
24. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Глубокие энергетические уровни в кремнии, обусловленные комплексами: атомы замещения титана и кислорода, атомы замещения титана и углерода. Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии. II международная научная конференци. – Кисловодск–Ставрополь: Изд-во СевКавГТУ, 2002. –С. 216-218.
25. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б., Мисюра Н.А. Электронное энергетическое строение кремния, содержащего атомы замещения никеля и кислорода (углерода). Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Сборник докладов 9-го Международного симпозиума «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы». – Харьков: ННЦ ХФТИ, ИПЦ «Контраст», 2003. – С.109-111.
26. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Мисюра Н.А. Образование силицидов хрома на поверхности кремния при ионно-лучевой обработке структуры Cr-Si. Математические модели физических процессов и их свойства: Материалы 9-й Международной научной конференции. –Таганрог: Изд-во ТГПИ, 2003. – С. 95.
27. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Моделирование электронного энергетического строения кремния содержащего атомы замещения титана и кислорода. Математические модели физических процессов и их свойства. Материалы 9-й Международной научной конференции. –Таганрог: Изд-во ТГПИ, 2003. –С. 90-94.
28. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Глубокие энергетические уровни в кремнии, обусловленные комплексами: атомы замещения титана и бора, атомы замещения титана и фосфора. Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии. III Международная научная конференция. – Кисловодск –Ставрополь: Изд-во СевКавГТУ, 2003. –С. 159-161.
29. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Мисюра Н.А. Моделирование формирования силицидов хрома в приповерхностном слое кремния. Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии. III Международная научная конференция. – Кисловодск – Ставрополь: Изд-во СевКавГТУ, 2003. –С. 157-159.
30. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б., Виноградов В.В. Исследование электронного энергетического спектра кремния, содержащего краевую дислокацию. Известия ТРТУ. Специальный выпуск «Мат. XLIХ научно-технической и научно-методической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ». –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. –№1 (36). –С. 207.
31. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б., Мисюра Н.А. Моделирование электронного строения гетероструктур кремний – металл- кремний для САПР перспективных элементов наноэлектроники. Тематический выпуск «Интелектуальные САПР». Материалы Международной научно-технической конференции «Интелектуальные САПР». –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. – №.3(38). – С. 89-93. 32. Арзуманян Г.В., Захаров А. Г., Колпачев А.Б., Мисюра Н.А., Серба П.В. Моделирование процесса ионно-лучевой обработки гетероструктуры хром кремний и ее электронного энергетического строения. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды 9-й международной научно-технической конференции. –Таганрог: ТРТУ. – 2004. -Ч.1. –С. 114-116. 33. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Электронное энергетическое строение кремния, содержащего атом замещения никеля и бора. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды 9-й международной научно-технической конференции. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004, -Ч.1. – С. 224-225. 34. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Моделирование электронного энергетического строения кремния, содержащего атом замещения никеля и бора. Математические модели физических процессов и их свойства: Материалы 10-й Международной научной конференции. –Таганрог: Изд-во ТГПИ, 2004. – С. 115-119. 35. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б., Приступчик Н.К. Моделирование формы потенциала и процесса переноса заряда в нанометрической гетероструктуре кремний (111)-титан-кремний. Известия ТРТУ. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005, №9. – С. 226-227. 36. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Моделирование формы потенциала в нанометрических гетероструктурах кремний(100) – титан – кремний (100). Известия ТРТУ. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. – №.9(64). – С. 64. 37. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Остапенко Н.А., Колпачев А.Б. Перспективы применения ионно-лучевой обработки структуры металл–кремний в микро- и нанотехнологии. Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии. VI Международная научная конференция. – Кисловодск – Ставрополь: Изд-во СевКавГТУ, 2006. – С. 358. 38. Колпачев А.Б. Глубокие энергетические уровни в кремнии, обусловленные комплексами: атомы замещения железа и бора, атомы замещения железа и фосфора. Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии. VI Международная научная конференция. – Кисловодск –Ставрополь: Изд-во СевКавГТУ, 2006. – С. 216-218. 39. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Моделирование электронного энергетического строения кремния, содержащего атом замещения никеля и бора. Математические модели физических процессов. Материалы 12-й Международной научной конференции. Т.1.Физико-математические и физико-технические модели, проблемы технологии. – Таганрог: Изд-во ТГПИ, 2007. –С. 210-214. Список учебно-методических работ
1. Арзуманян Г.В., Волощенко В.Ю., Гатько Л.Е., Доценко И.Б., и др. Комплект учебных документов к проведению занятий по общему курсу физики в системе РИТМ. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001. –55 с. 2. Арзуманян Г.В., Гатько Л.Е., Доценко И.Б., Колпачев А.Б., и др. Типовые задания по физике для учащихся подготовительных курсов Центра до вузовской подготовки ТРТУ. Часть 1. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. –38 с. 3. Арзуманян Г.В. Уравнение теплового баланса. Проблемы профильного обучения и независимой экспертизы качества знаний в системе непрерывного образования: Материалы Второго методического семинара преподавателей и руководителей Региональных Профориентационных Центров и довузовских подразделений филиалов ТРТУ. –Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. – С. 92-94. 4. Горбатюк В.Ф., Гатько Л.Е., Доценко И.Б., и др. Типовые задания ЕГЭ по физике для учащихся подготовительных курсов Центра до вузовской подготовки ТРТУ. Часть 1. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. –40 с. 5. Арзуманян Г.В. Коэффициент полезного действия различных термодинамических процессов. Проблемы профильного обучения и независимой экспертизы качества знаний в системе непрерывного образования: Материалы Третьего методического семинара преподавателей и руководителей школ, довузовских подразделений филиалов и Региональных Профориентационных Центров ТРТУ. –Таганрог: Изд-во ТРТУ. – 2005. – С. 134-140. 6. Арзуманян Г.В., Гатько Л.Е., Куповых Г.В., Фатеева В.А. Учебно-методический комплект документов к проведению занятий по физике для студентов факультета БФО (очно-заочная форма обучения). Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. – 180 с. 7. Арзуманян Г.В., Колпачев А.Б. Учебно-методическое пособие и контрольные задания по дисциплине «Термодинамика и теплопередача». Для студентов ФБФО. Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2007. – 80 с.
8. Арзуманян Г.В., Колпачёв А.Б., Колпачёва, О.В., Чилингарова Н.С.Методическое пособие к проведению занятий по дисциплине Термодинамика и теплопередача. Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2008. – 24 с. 9. Арзуманян Г.В., Колпачёв А.Б., Колпачёва О.В., Чилингарова Н.С.Сборник задач по дисциплине Термодинамика и теплопередача. Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2008. – 132 с.
10. Г.В. Арзуманян, Л.Е. Гатько, И.Б. Доценко, А.Б. Колпачев, И.И.Красюк и др. «Практикум по дисциплине «Физика» раздел «Квантовая физика» (по направлениям подготовки: естественные науки и математика; информационная безопасность; техника и технологии)», учебно-методическое пособие, печ. Таганрог, 2007г., 95с.
Отчёты по НИР
1. Разработка физических моделей полупроводниковых структур при наличии дефектов, создающих глубокие энергетические уровни. Отчёт по НИР. № ГР 01950004397, Инв. № 02960000561. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1995. –140с. 2. Исследование электронного строения гетероструктур, содержащих тонкие слои силицидов переходных металлов. Отчёт по НИР. № ГР 01960005176. Инв. № 02990000461. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1998. –121 c. 3. Исследование электронного строения гетероструктур, содержащих тонкие слои переходных металлов. Отчёт по НИР. № ГР 01200011234. Инв. № 02200100334. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000. –41 c. 4. Теоретические и экспериментальные исследования электрических свойств дефектов в кремнии. Отчёт по НИР(заключительный). № ГР. 01200203301. Инв. № 02200303367. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2003. –143 c. 5. Моделирование процесса ионно-лучевого перемешивания гетероструктур металл-кремний и их электронного энергетического строения. Отчёт по НИР(заключительный). № ГР. 01200203301. Инв. № 02200401038. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. –160 c. 6. Разработка физических основ перспективных элементов твердотельной электроники на основе гетерогенных наноструктур. Отчёт по НИР(заключительный). № ГР. 01200203301. Инв. № 02200503041. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. –93 c. 7. Исследование влияния электрически активных дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур. Отчёт по НИР(заключительный). № ГР. 01200505537. Инв. № 02200600974. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. –144 c. 8. Разработка модели функционирования транзистора на основе наноразмерной структуры полупроводник – металл-полупроводник. Отчёт по НИР(заключительный). № ГР. 01200604342. Инв. № 02200701124. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. –91 c.
Достижения
кандидат технических наук, доцент
Изображения
e-mail:mezostruktura@ tsure.egf.ru
