Авагянц Гедеон Мовсесович

Материал из Энциклопедия фонда «Хайазг»
Версия от 20:39, 25 августа 2013; Ssayadov (обсуждение | вклад) (Библиография)
(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)
Перейти к: навигация, поиск
Дополните информацию о персоне
Авагянц Гедеон Мовсесович
Авагянц Гедеон Мовсесович 1.png
Другие имена: Авакянц Гедеон Мовсесович,
Авакьянц Гедеон Мовсесович
Дата рождения: 12.04.1919
Место рождения: Самарканд, Узбекистан
Дата смерти: 09.07.1984
Место смерти: Ростов-на-Дону, Россия
Краткая информация:
Радиофизик

Биография

Родился в 1919г., Самарканде.

В 1942 - окончил Среднеазиатский (ныне Ташкентский) университет.

С 1965 - заведующий отделом радиофизики и электроники Физического института АН Армянской ССР (1965-1977) и одновременно заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков ЕГУ.

Умер в 1984г.

Сочинения

Труды: по физике полупроводников и полупроводниковой технике; разработал феноменологическую теорию полупроводников, физические принципы проектирования мощных транзисторов и программы их машинного расчета.

Достижения

  • доктор физико-математических наук (1958)
  • профессор (1960)
  • член-корреспондент АН Армянской ССР (1965)

Изображения

Библиография