Петросянц Константин Орестович

Дополните информацию о персоне

Письмо в редакцию Энциклопедии
Сообщение:

Ваша почта (для ответа):
(Файл или фотографию можно выслать на электропочту mailbox@hayazg.info.

Петросянц Константин Орестович

Краткая информация: Доктор технических наук. Профессор. Заведующий кафедрой факультета электроники и телекоммуникаций Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»

Биография

Профессор. Заведующий кафедрой факультета электроники и телекоммуникаций Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики».

Образование, учёные степени

• Московский институт электронного машиностроения, 1968, факультет: АВТ, специальность «автоматика и телемеханика»
• Доктор наук: Московский государственный институт электроники и математики, 1985, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»

Участие в грантах, НИР, ОКР

• Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (1-ый этап) - Руководитель
• НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап) - Руководитель
• НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Исполнитель
• НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (3-ой этап). - Исполнитель
• НИР «Исследование конструктивно-технологических решений по созданию базовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС со структурой «кремний на изоляторе», гос. бюдж. - Руководитель
• НИР «Разработка физических моделей приборного моделирования характеристик субмикронных транзисторов КМОП КНИ с учетом воздействия спецфакторов», «Модель-С-МИЭМ-2012», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС», г. Нижний Новгород). - Руководитель
• НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Руководитель
• ОКР «Разработка параметров моделей для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры», «Угра-МИЭМ», 1-ый этап, (заказчик- ОАО «НПО ИТ», г. Королев). - Руководитель
• НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Руководитель
• НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Руководитель
• НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
• НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (2-ой этап) - Исполнитель
• НИР «Разработка методик модификации SPICE-моделей МОП КНИ транзисторов и экстракции их SPICE-параметров», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС»). - Руководитель
• ОКР «Моделирование и испытания радиационностойких интегральных преобразователей»прикладная, Этап 3, (заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
• ОКР«Испытание на радиационную стойкость ИС опытного образца ИПТ», шифр «Таймыр-МИЭМ-2»,(заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
• НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Руководитель
• НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Руководитель
• НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Руководитель
• НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
• НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (2-ой этап) - Исполнитель
• НИР «Разработка методик модификации SPICE-моделей МОП КНИ транзисторов и экстракции их SPICE-параметров», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС»). - Руководитель
• ОКР «Моделирование и испытания радиационностойких интегральных преобразователей»прикладная, Этап 3, (заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
• ОКР«Испытание на радиационную стойкость ИС опытного образца ИПТ», шифр «Таймыр-МИЭМ-2»,(заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
• НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Руководитель

Научные интересы

• микроэлектроника
• наноэлектроника
• электроника

Участие в конференциях

• 10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013, Крокус Экспо, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами
• Международная научно-практическая конференция"Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий", (ИНФО-2013), Сочи, 1-10 октября 2013. Соавтор доклада "Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры", авторы: Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М.
• Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г. Santander, Испания, 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия - соавтор стендового доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems", соавтор - Харитонов И.А.
• Техническое совещание «Проблемы математического моделирования РЭА на этапах её разработки», ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова», 22.08.2013. Форма участия - соавтор доклада на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов
• II Международная научно-практическая конференция "Инновационные информационные технологии", Чехия, Прага, 22–26 апреля. Форма участия - руководитель секции "Инновационные информационные технологии в науке", докладчик. Темы докладов: "SPICE-МОДЕЛИ КРЕМНИЕВЫХ БТ И КРЕМНИЙ‑ГЕРМАНИЕВЫХ ГБТ, УЧИТЫВАЮЩИЕ ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ", соавтор - Кожухов М. В.; "ПРИМЕНЕНИЕ ПАКЕТОВ ПРОГРАММ TCAD И HSPICE ДЛЯ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКАХ КМОП ИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТА САМОРАЗГРЕВА", соавторы Харитонов И.А., Попов Д. А.
• Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г. Форма участия - докладчик. Тема доклада «Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects»
• 13-ий научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 27.02.2013 - 28.02.2013 Российская Федерация, Нижний Новгород. форма участия: докладчик Доклад - Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС
• 12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород. форма участия: докладчик. Тема доклада - "Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий"
• Межотраслевая школа-семинар "Радиационные испытания-2012". 18.06.2012 - 21.06.2012 Российская Федерация, Дубна Московской области. форма участия: докладчик. Тема доклада "Методы математического моделирования элементов ИС и ИС при радиационном воздействии
• Научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012». 26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль. Формы участия: докладчик. Доклады:МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУ Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
• 18th International Workshop on Thermal investigations of ICs and Systems "Therminic 2012". 24.09.2012 - 27.09.2012 Венгрия, Будапешт. Форма участия: докладчик. Доклад : Quasi – 3D approach for BGA Package Thermal Modeling
• Конференция «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем» (MQ&ISM-2012). 16.09.2012 - 23.09.2012 Австрия, Вена. форма участия: докладчик. Доклад: Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения
• Всероссийская научная школа по проектированию интегральных схем. 11.09.2012 - 13.09.2012 Российская Федерация, Москва. форма участия: докладчик. Доклад: Схемотехнические SPICE-модели элементов аналого-цифровых ИС
• Международная конференция IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). 14.09.2012 - 12.09.2012 Украина, Харьков. форма участия: докладчик. Доклады: New version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel
• Крупнейший международный научно-технический семинар-выставка по исследованию тепловых процессов в электронных компонентах «IMAPS Advanced Technology Workshop and Tabletop Exhibition on Thermal Management», 12-14 ноября 2012 г., Кремниевая долина, г. Лос-Гатос (Калифорния, США), форма участия: докладчик. Доклад «Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces» ("Экспериментальное исследование температурно-токовых характеристик трасс печатных плат со встроенными активными компонентами») был признан одним из лучших и отмечен Оргкомитетом IMAPS–2012 специальной грамотой
• 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо». В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ были представлены два экспоната:1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники. 2) Печатные платы со встроенными активными компонентами. К.О. Петросянц - руководитель выставленных работ

Сочинения

Статьи и главы в книгах

• Доморацкий Е. П., Петросянц К. О. Телевизионный датчик импульсных микроизображений // Датчики и системы. 2014. № 3
• Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems , in: Proceedings 16th Euromicro Conference on Digital System Design DSD 2013 Proceedings of the 16th Euromicro Conference on Digital System Design (DSD 2013) Santander, Spain. Santander : IEEE Computer Society Conference Publishing Services (CPS), 2013. P. 479-482
• Petrosyants K. O., Kortunov A. V., Kharitonov I. A., Попов А. А., Гоманилова Н. Б., Rjabov N. Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 308-311
• Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. A. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника-2013: Сборник научных трудов / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309
• Petrosyants K., Kharitonov I. A., Kozynko P. A., Popov A. Electronic components thermal regimes investigation by IR thermography , in: Proceedings of the 12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. Torino : Politecnico di Torino, 2013. P. 185-189
• Petrosyants K. O., Popov A. A. Experimental investigation of temperature-current rise in fine PCB copper traces on polyimide, aluminium and ceramic (Al2O3) substrates // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 739. P. 155-160
• Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755
• Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects , in: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen : , 2013. P. 35-36
• Петросянц К. О., Кожухов М. В. SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320-326
• К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации // Известия вузов. Электроника. 2013. № 6. С. 85-87
• К. О. Петросянц, Смирнов Д. С., М. В. Кожухов Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 239-242
• Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М. Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 274-276
• К. О. Петросянц Моделирование тепловых режимов электронных компонентов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 229-232
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щекин А., Гоманилова Н. Б. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника-2013: Сборник научных трудов / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296-302
• Петросянц К. О., Попов Д. А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97
• Petrosyants K. O., Rjabov N. Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 541-544
• Petrosyants K., Kozynko P. A., Kharitonov I. A., Sidorov A., Chichkanov Y. New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 289-292
• Petrosyants K., Rjabov N. Quasi – 3D Approach for BGA Package Thermal Modeling , in: Collection of papers presented at the 18th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems / Отв. ред.: P. E. Raad, A. Poppe.; науч. ред.: M. Rencz, B. Courtois. Budapest : EDA Publishing Association, 2012. P. 158-161
• Петросянц К. О., Самбурский Л. М. SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116-121
• Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V. SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277
• Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65
• Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D. A. TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs , in: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.. M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08
• K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov, D. Popov. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs // Proceedings of SPIE. 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 413-418
• Петросянц К. О., Грязнов Е. Г., Мансуров А. Н. Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 608-611
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20
• Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32
• Петросянц К. О., Торговников Р. А. Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учетом эффекта саморазогрева // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 267-273
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В. Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15
• Петросянц К. О., Рябов Н. И. Оценка эффективности теплоотвода BGA корпусов ИМС с помощью квазитрёхмерного теплового моделирования на ЭВМ // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 206-210
• Петросянц К. О. Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения // В кн.: Менеджмент качества и менеджмент информационных систем (MQ&ISM-2012). Материалы международной конференции / Под общ. ред.: В. Н. Азаров. М. : Фонд «Качество», 2012. С. 31-35
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Адонин А. С., Сидоров А. В., Александров А. В. Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 187-192
• Быков Д. В., Кечиев Л. Н., Львов Б. Г., Петросянц К. О. ФГБОУ ВПО "Московский государственный институт электроники и математики" // В кн.: История отечественной электроники Т. 2. М. : ЗАО "Издательский дом "Столичная энциклопедия", 2012. С. 506-521
• Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462
• Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; науч. ред.: В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270
• Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D. A., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; науч. ред.: В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190
• Petrosyants K., Rjabov N. Temperature Sensors Modeling for Smart Power IC , in: Proceedings of 27-th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, San Jose, USA, March 2011. San Jose : IEEE Components, Packaging and Manufacturing Technology Society, 2011. P. 161-165
• Petrosyants K., Rjabov N. Thermal Analysis of the Ball Grid Array Packages , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; науч. ред.: В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275-278
• Петросянц К. О., Торговников Р. А. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83
• Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В. Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 13-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2011. С. 8-15
• Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83
• Bykov D., Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Microelectronics education at MIEM: from materials to system on chip/board , in: Proceedings of the 8th European Workshop on Microelectronics Education, Darmstadt, Germany, 10-12 May 2010. Darmstadt : -, 2010. P. 39-44
• Petrosyants K. O., Kozynko P. A., Kharitonov I. A., Rjabov N. Multi-level Thermal Design of Electronic Components: from Submicron Devices and ICs to Systems on a Board , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 330-333
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В. Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95
• Петросянц К. О., Рябов Н. И. Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2010. С. 80-85
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78
• Петросянц К. О., Торговников Р. А. Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89
• Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Осипенко П. Н., Горбунов М. С. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89
• Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83
• Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A., Kozynko P. A.. Electro-thermal simulation: a new Subsystem in Mentor Graphics IC Design Flow , in: Collection of Papers Presented at the 15th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2009) / Науч. ред.: B. Courtois, M. Rencz, T. Baelmans, B. Vandevelde, T. Persoons. Leuven : EDA Publishing Association, 2009. P. 70-74
• Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N., Kozynko P. A.. Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). Х. : Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2009. P. 247-250
• Петросянц К. О., Ширабайкин Д. Анализ времени отказа межсоединений субмикронных СБИС // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009. № 3(77). С. 87-89
• Petrosyants K. O., Kozynko P. A.. Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System , in: Collection of Papers Presented at the 14th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2008) / Науч. ред.: B. Courtois, M. Rencz, C. Lasance, V. Székely. Rome : EDA Publishing Association, 2008. P. 76-79
• Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2008. Сборник научных трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2008. С. 243-246
• Petrosyants K. O., Kozynko P. A.. Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'07). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2007. P. 599-602
• Петросянц К. О., Козынко П. А. Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38

Тезисы докладов

• Петросянц К. О., Торговников Р. А. Элементная база SiGe БиКМОП СБИС ведущих зарубежных компаний для создания высокоскоростных систем передачи информации // Материалы VI семинара «Перспективы создания отечественной СВЧ электронной компонентной базы для высокоскоростных систем передачи информации 4‑го поколения», М., ФГУП «НПП „Пульсар“», апр. 2011
• Петросянц К. О. Электро-тепловое моделирование полупроводниковых приборов, микросхем и электронных модулей // Материалы совещания по САПР РЭА КМЭ при секции № 1 НТС Ядерного Оружейного Комплекса Госкорпорации «РОСАТОМ», М., ВНИИА, окт. 2011
• K. O. Petrosyants. Models and Software Tools for Electro-Thermal Design of Semiconductor Devices and ICs // Proc. of Workshop «Design of semiconductor components and electronic based miniaturized systems: European and Russian R/D cooperation», Ulyanovsk, Russia, May 2011

Достижения

• Доктор технических наук
• Профессор
• Ординарный профессор (2013)

Награды

• Почетный работник высшего профессионального образования РФ (2012)
• Лауреат Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (1999)

Библиография

• Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
• rusperson
• Московский государственный институт электроники и математики (МГИЭМ)