Ходжибагиян Гамлет Георгиевич
Ходжибагиян Гамлет Георгиевич | |
Дата рождения: | 17.08.1950 |
Краткая информация: Главный инженер установки (ОИЯИ), лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники за 2010 г. |
Биография
Окончил МВТУ имени Баумана в 1973 году.
Специалист высшей квалификации в области криогенной и ускорительной техники. Когда началась разработка магнитов для Нуклотрона. Под эту программу его пригласили работать (поскольку Ходжибагиян Гамлет заканчивал обучение на криогенной кафедре).
Главный инженер базовой установки Нуклотрон (2009—2014), , директор по научной работе Лаборатории физики высоких энергий.
Организатор международных совещаний и конференций по криогенной технике и сверхпроводимости, автор и соавтор более 150 научных публикаций и двух изобретений.
Представил первый концептуальный проект комплекса Нуклотрон — технологии сверхпроводимости в создании крупномасштабных магнитных систем и является одним из его создателей, внесшим ключевой вклад в его разработку, монтаж, испытания.
C 2010 года он руководит НИР и ОКР по созданию прототипов и полномасштабных сверхпроводящих магнитов для бустера и коллайдера проекта NICA, является соруководителем совместного проекта ОИЯИ/BMBF «Accelerator magnet R&D». Заместитель директора по научной работе лаборатории физики высоких энергий Объединенного института ядерных исследований.
Достижения
- Кандидат физико-математических наук
Награды
- Премия Правительства Российской Федерации 2010 года в области науки и техники (2010)
- Звание «Почетный сотрудник ОИЯИ»
- Знак «За заслуги перед Московской областью» III степени
- Почетная грамота Министерства науки и высшего образования Российской Федерации
- Премия «Вызов» (российская национальная премия в области будущих технологий (2023) за разработку магнитов на основе высокотемпературного сверхпроводящего материала для сверхмощных хранилищ электроэнергии и исследований новой физики)
- Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2022, за вклад в развитие науки и многолетнюю добросовестную работу)