Просмотр исходного текста страницы Абрамян Юрий Арсенович

{{Персона
| name-ru-main  =Абрамян Юрий Арсенович
| name-ru-01    =
| name-ru-02    =
| name-ru-03    =
| name-lat =
| name-en       =Yuri Abrahamyan
| name-am       =
| name-fr       =
| состояние текста     = 1
| состояние поиска     = 1
| состояние тэгов      = 1
| состояние ссылок     = 1
| флаг чистовик        = 7
| автокартинки         =
| портрет              =Абрамян Юрий Арсенович.jpeg
| дата рождения        =10.06.1932
| место рождения       =Красный, (Трнаварз) НКАО 
| дата смерти          =
| место смерти         =
| краткая информация =Ученый-радиофизик, доктор физико-математических наук
| тэг01 =радиофизик
| тэг02 =доктор физико-математических наук
| тэг03 =
| тэг04 =
| тэг05 =
}}

=Биография=
Родился 10 июня 1932 г. в селе Красный (Трнаварз) Нагорно-Карабахской республики (НКАО). 

В 1940 г. там же поступил в школу, которую окончил в г. Баку. С 1951 по 1955 гг. служил в ВМС СА.

В 1956 г. поступил на физико-математи-ческий факультет Самаркандского университета, который окончил в 1961 г. и был направлен на работу в Физико-технический институт Академии наук Узбекистана в г. Ташкенте.

В 1965 г., поступив в аспиантуру к профессору [[Авакянцу Г.М.|Авакянцу Г.М.]], переехал в Армению, в ИРФЭ АН Армении.

С 1961 по 1965 гг. занимался исследованием физико-технологических свойств кремниевых туннельных диодов и их изготовлением. В 1961 ‑ 1962 гг. под руководством Саидова М. С. была опубликована его первая в СССР технология получения кремниевых туннельных диодов.

В 1970 г. в ИРФЭ АН Армении защитил кандидатскую диссерацию по теме: «Некоторые исследования диодов с S-образной вольтамперной характеристикой, изготовленных из кремния, легированного кадмием (Zn ~ 10-2 %).

В 1996 г. - защита докторской диссертации по теме: «Электрофизи-ческие и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и приборов на основе легированного кремния и соединений А4В6».
==Сочинения==
Специалист по физикe полупроводников и диэлектриков, исследованию и разработке полупроводников, автор свыше 90 публикаций в этой области, в том числе книг:
*«Разработка полупроводниковх радиометров субмиллиметрового и ИК диапазонов изд-во ЦНИИ «Электроника», 1986 
*«Пороговые характеристики фотодетекторов. ИК-радиометры и основные материалы современной фотолектроники», (соавторы: Гаспаряном Ф. В., Мартиросяном Р. М.), изд-во Ереванского Гос. университета, 2000  
*«Metods and Materials for remote sensing (Infrared Photo-Detectors, Radio-meters and Arrays)», Autors: Yuri Abrahamian, Radik Martirossyan, Ferdinand Gasparyan, Tufts University, Medford, MA, USA, 2004 

==Достижения==
*доктор физико-математических наук

=Библиография=
*[http://araspel.blogspot.ru/2013/03/abrahamyan-yuri.html Ученый-радиофизик, доктор физико-математических наук]