Геворгян Георгий Аветисович — различия между версиями
Материал из Энциклопедия фонда «Хайазг»
Ssayadov (обсуждение | вклад) |
(→Образование) |
||
| Строка 31: | Строка 31: | ||
==Образование== | ==Образование== | ||
| − | *1969г. [[ЕГУ]], фак. физический по спец. радиофизика и электроника | + | *1969г. [[Ереванский государственный университет|ЕГУ]], фак. физический по спец. радиофизика и электроника |
*В 1978г. Московский физико-технический ин-т, фак. переподготовки по спец. теория и техника лазерной связи. | *В 1978г. Московский физико-технический ин-т, фак. переподготовки по спец. теория и техника лазерной связи. | ||
Версия 21:12, 4 ноября 2010
Дополните информацию о персоне
| Геворгян Георгий Аветисович | |
| Дата рождения: | 01.01.1940 |
| Место рождения: | В.Геташен Мартунинского р-на РА |
| Краткая информация: Кандидат физико-математических наук | |
Содержание
Биография
Образование
- 1969г. ЕГУ, фак. физический по спец. радиофизика и электроника
- В 1978г. Московский физико-технический ин-т, фак. переподготовки по спец. теория и техника лазерной связи.
Место работы
- ИФИ НАН РА, н.сотрудник.
Область интересов
- лазерная физика
Эксперт в области
- лазерная техника
Сочинения
- Тема канд. диссертации: С 2000г. к.ф.-м.н., тема дис.: Исследование, разработка и создание непрерывных твердотельных лазеров с воздушным охлаждением.
Достижения
- кандидат физико-математических наук
