Изменения

*10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013, Крокус Экспо, павильон 2, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами:

*Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г. Santander, Испания, 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия- соавтор стендового доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems", соавтор - Харитонов И.А.*Техническое совещание «Проблемы математического моделирования РЭА на этапах её разработки», ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова», 22.08.2013, организованное в соответствии с решением секции «Радиационно-стойкая ЭКБ» Межведомственного совета главных конструкторов по радиоэлектронной компонентной базе по проблеме моделирования радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения, прошедшем 13 июня 2013 г. в Госкорпорации «Росатом». Форма участия - соавтор доклада на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов.

*Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г. Форма участия - докладчик. тема Тема доклада «Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects».*13-ий научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 27.02.2013 - 28.02.2013 Российская Федерация, Нижний Новгород. форма участия: докладчик Доклад - Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС*12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород. форма участия: докладчик . Тема доклада - "Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий"

*Научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012». 26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль. формы Формы участия: докладчик. Доклады:МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУМакромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты*18th International Workshop on Thermal investigations of ICs and Systems "Therminic 2012". 24.09.2012 - 27.09.2012 Венгрия, Будапешт. форма Форма участия: докладчик. Доклад : Quasi – 3D approach for BGA Package Thermal Modeling.

*Крупнейший международный научно-технический семинар-выставка по исследованию тепловых процессов в электронных компонентах «IMAPS Advanced Technology Workshop and Tabletop Exhibition on Thermal Management», 12 - 14 ноября 2012 г.,Кремниевая долина, г. Лос-Гатос (Калифорния, США),форма участия: докладчик. Доклад «Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces» ("Экспериментальное исследование температурно-токовых характеристик трасс печатных плат со встроенными активными компонентами») был признан одним из лучших и отмечен Оргкомитетом IMAPS–2012 специальной грамотой.*9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо». В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ были представлены два экспоната :1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники. 2) Печатные платы со встроенными активными компонентами. К.О. Петросянц - руководитель выставленных работ.