Мадоян Сусанна Гукасовна
Материал из Энциклопедия фонда «Хайазг»
Версия от 12:35, 16 мая 2019; Kpluzyan (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Персона | name-ru-main =Мадоян Сусанна Гукасовна | name-ru-01 = | name-ru-02 = | name-ru-03 = | name-lat = | name-en…»)
Дополните информацию о персоне
Мадоян Сусанна Гукасовна | |
Дата рождения: | 24.06.1925 |
Место рождения: | Батуми, Грузия |
Краткая информация: Создательница первого полупроводникового триода в СССР |
Биография
Родилась 24 июня 1925 г. в городе Батуми в Грузии.
С 1932 по 1944 годы - училась в грузинских начальных школах.
В 1944 году поступила в Московский химико-технологический институт им. Менделеева. Учиться начала на факультете органической химии, а с шестого семестра перешла на спецфакультет, на только что открывшуюся новую кафедру.
Институт окончила в 1949 году и, получив диплом с отличием, была направлена на работу в тот же НИИ где делала дипломную работу.
С 1969 года занялась преподаванием – получила должность доцента кафедры «Полупроводниковые приборы» в Институте стали и сплавов.
Сочинения
- «Исследование материалов для кристаллического триода»
Достижения
- Создала первый в СССР образец прибора обеспечивавшего транзисторный эффект – т. е. лабораторный образец точечного триода.
- Кандидат технических наук (1960)