Казаров Бениамин Агопович

Материал из Энциклопедия фонда «Хайазг»
Перейти к: навигация, поиск
Дополните информацию о персоне
Казаров Бениамин Агопович
Казаров Бениамин Агопович.jpg
Дата рождения: 1983
Краткая информация:
Специалист в области автоматизации технологических процессов и производств

Биография

С отличием окончил Северо-Кавказский государственный технический университет по специальности «Автоматизация технологических процессов и производств» с присвоением квалификации «инженер».

С 1 июля 2005 года Казаров Б.А. поступил в очную аспирантуру Пятигорского государственного технологического университета (ПГТУ) на кафедру управления и информатики в технических системах.

В мае 2007 года успешно защитил кандидатскую диссертацию на тему «Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники» в специализированном совете по защите докторских диссертаций при Дагестанском государственном университете.

С сентября 2007 года по настоящее время работает доцентом кафедры математических и естественнонаучных дисциплин Кавминводского института (филиала) ГОУ ВПО Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института).

С сентября 2009 года исполняет обязанности ученого секретаря Ученого совета института.

Основное научное направление: «Моделирование тепловых, электрических свойств полупроводниковых материалов наноэлектроники».

Б.А. Казаров участвует в работе международных, всероссийских и региональных конференций.

В феврале 2011 года решением Президиума Российской академии естествознания (РАЕ) единогласно избран советником РАЕ по секции «Физико-математические науки».

В июне 2011 года решением Рособрнадзора присвоено ученое звание доцента по кафедре "Прикладная математика".

Педагогическая работа

Казаров Б.А. ведет лекционные и практические занятия по следующим дисциплинам:

  • «Алгебра и геометрия»
  • «Математика»
  • «Математический анализ»
  • «Дискретная математика»
  • «Комбинаторика и теория графов»
  • «Математическая логика и теория алгоритмов»
  • «Информатика»
  • «Информационные технологии в экономике»
  • «Прикладное программное обеспечение в экономике»

Сочинения

Казаров Б.А. является соавтором семи научных публикаций в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК и рекомендованных для опубликования основных результатов диссертаций.

За период с 2005 г. по 2011 г. Казаровым Б.А. подготовлено и издано более 60 научных и учебно-методических работ, а также 2 монографии.

В 2008 году Б.А. Казаровым в соавторстве с В.И. Алтуховым и Н.В. Баландиной подготовлена и издана монография «Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств широкозонных полупроводников и диэлектриков (с дефектами, фазовыми переходами и нанокластерами)».

В 2011 году Б.А. Казаров в соавторстве с профессором В.И. Алтуховым и доцентом А.В. Санкиным подготовил к изданию монографию «Функциональные материалы наноэлектроники – новые свойства и методы их описания», которая посвящена новым подходам и методам моделирования тепловых, электрических свойств реальных кристаллов и широкозонных полупроводников.

Среди его работ

  • Казаров Б.А., Алтухов В.И. Компьютерные системы, сети и технологии в банковской деятельности // Материалы IV рег. науч. конф. Математическое моделирование и информационные технологии. 16-17 апреля 2004 г., Георгиевск.- Ставрополь: СевКавГТУ, 2004 г., с. 109-110
  • Ростова А.Т., Казаров Б.А., Алтухов В.И. Эффект биений различных каналов теплового сопротивления вблизи Тс в сегнетоэлектриках с кластерами и наноструктурами // Материалы V Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». – Кисловодск: СевКавГТУ, 2005 г., с. 138-139
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Ростова А.Т. Критические индексы и математическое моделирование типичных особенностей теплового сопротивления в фононной модели сегнетоэлектрика // Материалы VII Международного симпозиума «Математическое моделирование и компьютерные технологии», Кисловодск, 2005 г. С.142-144
  • Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И., Билалов Б.А., Казаров Б.А. Модели механизмов проводимости, диэлектрической проницаемости и оптические свойства твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x с дефектами и нановключениями// Материалы VIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» - Ульяновск, 2006 г. С.110
  • Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И., Билалов Б.А., Казаров Б.А. Модели механизмов проводимости твердых растворов на основе карбида кремния (SiC)1-x (AlN)x с примесями и нановключениями // Материалы VI Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» – Кисловодск: СевКавГТУ, 2006 г. С. 444-446
  • Казаров Б.А. Моделирование особенностей теплового сопротивления и управление проявлением эффекта биений в сегнетоэлектриках // Материалы II Международной научно-технической конференции «Инфокоммуникационные технологии в науке и технике». – Ставрополь, 2006 г. С. 183-185
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В. Модель флуктуационного эффекта и особенности теплового сопротивления кристаллов с дефектами и их комплексами-наноструктурами // Труды 9-го Международного симпозиума «Упорядочение в металлах и сплавах». – Ростов-на-Дону – п.Лоо, 2006. С. 212-215
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А. Модель проводимости твердых растворов и пленок на основе карбида кремния с управляемым фазовым переходом типа «металл», полуметалл – изолятор // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2005 г. С.100-102
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Ростова А.Т. Модель эффекта биений теплового сопротивления около Тс и реализация управления условиями его проявления в кристаллах типа KDP // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». – Пятигорск, 2005 г. С. 97-99
  • Казаров Б.А., Алтухов В.И., Билалов Б.А. Модели механизмов проводимости твердых растворов на основе карбида кремния // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2006 г. С. 85-87
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Тимченко О.В. Оценка критического показателя теплопроводности в фоннонной модели структурного фазового перехода // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2006 г. С. 83-85
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Шабанов Ш.Ш. Гигантское усиление диэлектрической проницаемости твердых растворов на основе карбида кремния // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2006 г. С. 90-97
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А. Эффекты биений теплового сопротивления кристаллов в когерентной области с сильными флуктуациями около ТС // Сб. докл. межд. науч. конф. «Системный синтез и прикладная синергетика», Пятигорск, 2006, С. 248
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Тимченко О.В. Транспортное уравнение Бете-Солпитера и уравнения ренормгруппы для систем с когерентными состояниями и фазовым переходом // Сб. докл. межд. науч. конф. «Системный синтез и прикладная синергетика», Пятигорск, 2006, С. 245
  • Билалов Б.А., Казаров Б.А., Шабанов Ш.Ш., Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И. Проводимость и модель эффекта усиления диэлектрической проницаемости твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x // Материалы IV Всероссийской конф. по физической электронике. Махачкала, 2006, С. 160-163
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В. Модель теплового сопротивления кристаллов ZnSe, ZnS, SiC c дефектами, их комплексами и нанокластерами // Материалы IV Всероссийской конф. по физической электронике. Махачкала, 2006, С. 164-166
  • Алтухов В.И., Билалов Б.А., Казаров Б.А., Сафаралиев Г.К. Модели проводимости, эффекта усиления диэлектрической проницаемости и оптические свойства нитрида алюминия в карбиде кремния (SiC)1-x(AlN)x // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы», г.Москва, МГУ им. Ломоносова, 31 января – 02 февраля 2007 г. С. 143-144
  • Б.А. Казаров. Моделирование тепловых и электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники. Материалы ХIV Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов 2007», Москва, МГУ им. Ломоносова, 10 – 15 апреля 2007
  • В.И. Алтухов, Н.В. Баландина, Б.А. Казаров, А.Т. Ростова. Расчет теплопроводности политипов ? – SiC, поликристаллов и твердых растворов карбида кремния с фазовыми превращениями. Материалы 10-го Международного симпозиума «Порядок, беспорядок и свойства оксидов», г.Ростов-на-Дону – пос.Лоо. 2007 г. С. 18-22
  • В.И. Алтухов, Н.В. Баландина, Б.А. Казаров, О.А. Митюгова. Моделирование механизмов рассеяния фононов на дефектах, нанокластерах и тепловые, оптические свойства широкозонных полупроводников (А2В6, SiC) // Труды X международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» - Ульяновск, 2008 г. С. 181
  • Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Алтухов В.И., Казаров Б.А., Санкин А.В. Проводимость и моттовский переход в твердых растворах карбида кремния с нанокластерами // Труды форума и выездного заседания экспертного совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности, Пятигорск, 2009. С. 111-114
  • Ростова А.Т., Казаров Б.А., Алтухов В.И. Математические модели и типичные особенности теплового сопротивления сегнетоэлектриков // Известия вузов Северо-Кавказский регион. Технические науки. Приложение №2. г. Ростов – на – Дону, 2005. С. 36-40
  • Алтухов В.И., Ростова А.Т., Казаров Б.А. Рассеяние фононов на точечных дефектах структуры, комплексах-наночастицах и типичные особенности теплового сопротивления реальных кристаллов и сегнетоэлектриков. Часть I. Квазиупругое рассеяние фононов и критические показатели для сегнетоэлектриков // Нано- и микросистемная техника. №3. 2006. С. 19-25
  • Алтухов В.И., Ростова А.Т., Казаров Б.А. Рассеяние фононов на точечных дефектах структуры, комплексах-наночастицах и типичные особенности теплового сопротивления реальных кристаллов и сегнетоэлектриков. Часть II. Роль точечных дефектов, наночастиц и флуктуационный эффект биений // Нано- и микросистемная техника. №4. 2006. С. 14-21
  • Казаров Б.А., Алтухов В.И. Математические модели проводимости твердых растворов на основе карбида кремния с дефектами, их комплексами и нановключениями // Обозрение прикладной и промышленной математики. Т.13, Вып. 4. 2006. С. 648
  • Казаров Б.А., Алтухов В.И. Моделирование флуктуационного эффекта биений в кристаллах Hg2Cl2 // Вестник Воронежского государственного технического университета. Т.2, №8. 2006. С. 131-132
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В., Тимченко О.В. Модели особенностей теплового сопротивления кристаллов с фазовыми переходами и дефектами // Известия Самарского научного центра РАН. Т.9, №3, 2007. С. 640
  • Алтухов В.И., Казаров Б.А., Алтухова П.В. Модели особенностей кривой теплопроводности К(Т) и гигантского теплосопротивления W с учетом фазовых переходов, дефектов и нанокластеров в сегнетоэлектриках и кристаллах А2В6 // Обозрение прикладной и промышленной математики. Т.15, Вып. 5. 2008. С. 851 – 852

Достижения

  • кандидат физико-математических наук
  • в августе 2011 года решением Президиума РАЕ присвоено почётное звание "Заслуженный работник науки и образования"

Библиография

Источник — «http://ru.hayazg.info/index.php?title=Казаров_Бениамин_Агопович&oldid=476244»